芯片落后美国多少年「中国芯片为什么落后」

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近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。

这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。

而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。

可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星、美光这样的顶级大厂，大家差不多处于同一水平线了。

而仔细说起来，国产存储芯片从之前的落后20年，到现在追上顶级水平，其实只花了6年时间。

长江存储是2016年成立的，总投资1600亿元，预计建设目标是总产能30万片/月，年产值将超过100亿美元，拿下全球20%以上的市场份额，成为全球知名的NAND闪存厂商。

而2016年时，国内在存储芯片上基本一片空白，落后国外水平至少是20年以上。所以很多人并不看好长江存储，觉得可能需要很久的时候，才有可能追上三星、美光等。

不曾想长江存储进度非常快，2017年就研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片，然后在2018年实现了量产，虽然落后国外很多，但有了0的突破。

后来长江存储又自研出了Xtacking架构，大幅度的提高了存储密度。并在2019年9月份，基于自研Xtacking架构，推出了64层3D NAND Flash，拉近了与三星、美光之间的差距。

接着长江存储实现了跳跃式发展，跳过了96层，直接在2020年4月，发布了128层3D NAND 闪存，再次缩小与三星、美光的差距。

并且基于Xtacking架构，长江存储128层堆叠的NAND闪存芯片，其存储密度达到了8.48 Gb/mm²，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。

可能很多人不理解，堆叠层数多少有什么意义？在存储芯片领域，堆叠层数越高，意味着工艺越先进，意味着存储密度越高，芯片的成本越低，尺寸越小。

大家原本以为，长江存储从128层跨越到232层，可能需要几年时间，不曾想在美光、三星进入232层时，长江存储马上也追了上来。

而按照机构的数据，2021年，国产存储芯片的市场份额为4%，而2022年可以达到7%左右，而2023年预计会达到12-15%。

这也就意味着，长江存储真的花了6年多一点的时间，就把原本落后至少20多年的存储芯片技术，追了上来，市场也是飞速增长，这实在是太牛了。

而长江存储也给大家证明了一个事实，那就是只要认真扎实去研发，芯片技术一样难不倒我们。