国产骄傲！长江存储芯片 存储密度远超三星、SK海力士、美光

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众所周知，在存储芯片领域，不管是在DRAM内存，还是在NAND闪存上，三星、SK海力士、美光都是当之无愧的巨头，三家掌握着市场。

当然国产存储也是在奋起直追，比如长鑫存储主攻DRAM内存，目前也推出了DDR4颗粒，而长江存储已经推出了128层的闪存，基本上也追上了三星、SK海力士、美光的水平。

而近日，有机构拆解了长江存储的一款128层TLC 3D闪存，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。

拆解的设备是Asgard（阿斯加特）的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD，采用的是长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC闪存，其die尺寸（晶圆大小）为 60.42 mm²，折算下来存储密度达到了8.48 Gb/mm²。

为何长江存储的存储密度这么高，这与长江存储的Xtacking架构有关，像三星等厂商的传统3D NAND架构中，相当于平面型结构，其中外围电路约占芯片面积的20~30%，这样面积大，存储密度就低了。

但Xtacking技术则是将外围电路置于存储单元之上，相当于是立体结构了，类似于双层的，所以面积更小，折算下来存储密度就高了。

存储密度高，有什么用？我们知道存储芯片也是由晶圆制造出来的，一块晶圆能够制造多少块存储芯片，要看存储芯片的面积大小，面积大，那么切割出来的芯片就少，面积小，切割出来的芯片就多。

存储密度高，那么芯片的面积就变小了，那么一块晶圆能够切出来的芯片就变多了，这会有两个好处，一是成本降低了，这个比较容易理解，二是生产效率更高了，因为处理好同样一块晶圆，可以得到更多的存储芯片了。

据媒体报道称，长江存储正在研发192层的3DNAND闪存芯片，再结合Xtacking架构，有望在3D NAND技术上进一步取得领先。