大功率半导体上市龙头「功率半导体国产替代」

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作者：程诺，编辑：小市妹

功率半导体器件（也称电力电子器件），是在电力电子变换装置中可实现电能转换与电路控制的核心器件，主要在电子电路中发挥着整流、变频、变压、功率放大/开关和线路保护等作用。

按器件集成度划分，功率半导体当前可分为功率分立器件、功率模块和功率IC三大类。其下游应用广泛，几乎可覆盖至所有电子制造领域，如电力传输、工业控制、消费电子和新能源等。

近年来，随着AI、数字经济、光伏、新能源汽车等产业的快速发展，功率半导体增量空间不断打开，市场规模持续增长。据Omdia数据统计，2021年，我国功率半导体市场规模为159亿美元，预计到2024年，市场规模有望达到190亿美元，发展前景广阔。

由于我国起步较晚，当前不管是从技术储备还是营收能力上均与国外企业有着一定差距，但得益于国家近年来制订的一系列政策的鼓励、支持与促进，国内功率半导体行业正驶入发展快速道。

1、闻泰科技

全球ODM IDM行业龙头，成立于2006年，主要从事半导体、光学模组及通讯产品集成三大板块业务，拥有集半导体芯片设计、晶圆制造、封装测试，以及光学模组、通讯终端、汽车电子等多个产品研发、制造于一体的全产业链布局。

据官网，公司以手机独立设计业务起家。2008年，主营业务转型至ODM领域，随后ODM业务常年市占率为20%左右。2019年，公司完成对全球领先半导体IDM厂商安世半导体的收购，布局切入半导体领域。两年后，公司收购广州得尔塔，正式布局光学模组业务。

在功率半导体领域，公司全资子公司安世半导体是全球领先的分立与功率芯片制造商，深耕半导体研制超60年，产品品类丰富，主要有二极管、双极性晶体管、MOSFET器件（金氧半场效晶体管）及氮化镓场效应晶体管等，可广泛适用于全球各类电子设计中。

其中，公司100V以上MOSFET料号已超100种。而在化合物半导体产品方面，公司第二代650V 氮化镓功率器件现已通过AEQC认证测试并实现量产，新款器件性能优势明显。

据IHS Markit 2020年数据，安世半导体双极性晶体管、二极管和ESD保护器件均排名第一，汽车功率MOSFET管排名第二，多个品类产品的全球市占率均处于领先地位。

据Omdia数据，2021年，安世半导体在全球功率半导体企业中排名第八，在全球功率分立器件企业中排名第六，分别较2019年上升一位、较2020年上升三位。

2、华润微

国内功率半导体领军企业，主要从事功率半导体、智能传感器和智能控制产品的设计、生产及销售，以及为客户提供芯片设计、晶圆制造、封装测试、掩模等全产业链一体化制造服务。

公司高度重视技术研发，掌握着沟槽型SBD设计及工艺技术、MEMS工艺晶圆制造技术及IPM模块封装技术等多项达到国际领先、国内领先地位的核心技术。

在功率半导体领域，公司产品主要分为功率器件和功率IC两大类，其中包括MOSFET、IGBT、SBD及各系列电源管理芯片等，多适用于消费电子、汽车电子、新能源和工业控制等领域。

基于先进的设计技术和制造工艺，公司生产的功率器件产品具有高可靠、低开关/导通损耗等优势。据年报，截至2020年底，公司已合计拥有超1100项分立器件产品与超500项功率IC产品，是国内产品线最为全面的功率分立器件厂商之一。

得益于IDM模式的优势和较强的研发实力，公司现已建立起领先国内水平的Trench-FS工艺平台，具备600V-6500V IGBT工艺能力，在IGBT、SBD等功率器件上具有较强的产品竞争力，是目前国内少数同时拥有全部MOSFET主流器件结构研发和制造能力且可为客户提供-100V至1500V范围内低中高压全系列MOSFET产品的功率半导体厂商。

据2022半年报显示，公司先进中低高压MOSFET当前已在光伏、新能源汽车及充电桩领域实现了规模化销售，IGBT产品也已通过全球光伏头部客户认证并批量供应。

3、士兰微

国内IDM功率/模拟芯片龙头，成立于1997年，专注从事集成电路、半导体分立器件及LED等电子产品的设计、制造和销售，主要产品品类包括功率器件、模拟电路、MCU、LED芯片等。

成立早期，公司主要从事模拟电路设计。2001年，公司开始切入硅芯片制造业务，成为IDM模式的半导体企业。此后近20年，公司业务领域逐步拓展至LED、IPM和IGBT等板块。

2017年起，公司与厦门半导体投资集团共同投资建设12寸特色工艺晶圆产线及先进化合物半导体器件产线，第一条产线于2020年底投产，公司成为国内率先布局12寸晶圆产线的IDM企业。

据年报，公司当前业务布局以功率分立器件及模块为主，功率器件产品已覆盖至MOSFET、IGBT、IGBT大功率模块（PIM）、IPM模块等众多品类，且部分产品性能已达行业领先水平。

其中，在IPM领域，公司打造了以IPM为核心的完整解决方案，系列产品已覆盖至20W-3000W功率段，可广泛应用于冰箱、空调、变频器、风机、水泵等领域。受益于全球芯片短缺，公司凭借产能优势迅速上量，目前已获得海尔、美的、格力、海信等主流家电企业的认可。

在IGBT、超级结MOSFET等领域，公司积极布局，研发技术实力较强，已成功推出了基于自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块。

目前，公司车规IGBT模块已通过国内多家客户测试，并已实现批量供货。

4、扬杰科技

国内老牌功率半导体企业，成立于2006年，主营功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等业务，拥有各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC、功率二极管等丰富的产品线，是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、销售与服务于一体的IDM厂商。

据官网，公司前身为扬杰投资，主营电子元器件贸易业务。2006年，公司设立桥堆二极管产线，业务转向产业链上游，主要产品包括整流二极管、快恢复二极管、光伏二极管等多个品种。

据芯谋研究数据，2019年，公司在国内功率二极管市场的市占率为13.5%，排名行业第一；整流桥全球市场市占率达20.5%，排名前列，行业领先优势明显。

2017年，公司开始切入功率器件中高端领域，布局IGBT和MOSFET器件研发生产。当前，公司MOSFET、IGBT系列产品开发、验证进展顺利，已实现多款中低压沟槽功率MOSFET产品的量产，掌握了SGT MOS技术，产品性能和良率均达到国内最优水平。

其中，公司车规级MOSFET系列产品现已实现批量供货，车规级IGBT正持续推进客户认证；光伏逆变器用IGBT也已实现小批量生产供货。

公司重视研发创新，坚信研发驱动企业长期成长。2021年，公司在研发上投入费用2.42亿元，同比增长84.73%，研发投入占比达5.5%。

而通过较高力度的研发投入，公司产品持续迭代更新，在发展中高端MOSFET、IGBT芯片及器件的同时，面向功率器件高端领域，前瞻布局加强SiC、GaN等第三代半导体相关技术的研发，当前已实现650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD、SiC模块等全系列产品的市场推出。

5、斯达半导

国产IGBT龙头，成立于2005年，专注于从事IGBT、MOSFET、SiC等功率模块的设计、制造和测试，产品可广泛应用于新能源、工业控制、新能源汽车和白色家电等领域。

据官网，成立之初，公司即专注IGBT模块的开发。2007年，公司完成了IGBT模块关键技术工艺的开发，成功推出了第一款IGBT模块。之后，为实现核心芯片自主供应，公司自主研发出了平面栅NPT型IGBT芯片，并于2012年成功实现量产。

据Omdia数据，2020年，公司IGBT模组收入在全球占比2.8%，排名第六，是国内唯一进入世界前十的IGBT公司。

在车规级IGBT方面，得益于公司较早的布局新能源汽车领域，其车规级IGBT模块持续放量，当前配套车型已实现A00级到B 级的覆盖。

而通过与华虹半导体合作，公司于2021年率先成功研发出了基于第七代微沟槽技术的新一代车规级650V/750V/1200V IGBT芯片，并于2022年实现批量出货，技术水平大幅领先市场。

据统计数据显示，2022年第一季度，公司在车规级IGBT市占率约为16.4%，排名国产品牌第一，仅次于龙头英飞凌（全球头部半导体企业之一）的22.9%。

在光伏IGBT方面，公司也已较早步入，自主IGBT芯片开发的分立器件以及配套快恢复二极管芯片的模块和分立器件已获得行业内主流光伏逆变器客户的达批量装机应用。

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